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NXP Semiconductors
PESDxS1UL series
Unidirectional ESD protection diodes
001aaa631
120
I PP
(%)
80
100 % I PP ; 8 μ s
e ? t
001aaa630
I PP
100 %
90 %
5 0 % I PP ; 20 μ s
40
10 %
0
0
10
20
30
t ( μ s)
40
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
t
Fig 1.
8/20 ? s pulse waveform according to
IEC 61000-4-5
Fig 2.
ESD pulse waveform according to
IEC 61000-4-2
6. Characteristics
Table 8. Characteristics
T amb = 25 ? C unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V RWM
reverse standoff voltage
PESD3V3S1UL
PESD5V0S1UL
PESD12VS1UL
PESD15VS1UL
PESD24VS1UL
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.3
5.0
12
15
24
V
V
V
V
V
I RM
reverse leakage current
V BR
PESD3V3S1UL
PESD5V0S1UL
PESD12VS1UL
PESD15VS1UL
PESD24VS1UL
breakdown voltage
PESD3V3S1UL
PESD5V0S1UL
PESD12VS1UL
PESD15VS1UL
PESD24VS1UL
V RWM = 3.3 V
V RWM = 5.0 V
V RWM = 12 V
V RWM = 15 V
V RWM = 24 V
I R = 5 mA
[1]
-
-
-
-
-
5.2
6.4
14.7
17.6
26.5
0.7
0.1
<1
<1
<1
5.6
6.8
15.0
18.0
27.0
2
1
50
50
50
6.0
7.2
15.3
18.4
27.5
? A
? A
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
PESDXS1UL_SER
Product data sheet
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Rev. 3 — 25 October 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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